ПН-ПТ с 9:00 до 18:00
г. Воронеж, пр-т Революции, 39
Корзина пуста

FDN5618P транзистор

Артикул RLT-124779
Номер поставщика 124779
Производитель (Импорт) HXY
Гарантия 1 год

Характеристики

Тип MOSFET
Тип проводимости P
Максимальное напряжение сток-исток, В -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 160
Емкость, пФ 444
Заряд затвора, нКл 11,3
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOT-23
Упаковка REEL, 3000 шт.

Скачать техническую документацию даташит

На складе 8900 шт.
В упаковке 2900 шт.
Цена
9,61 ₽
Выберите количество

Описание HXY FDN5618P транзистор

FDN5618P P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -2 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 160 мОм (при Vgs = -10 В, Id = -1.5 А). Заряд затвора 11.3 нКл

Купить FDN5618P транзистор производства компании HXY, артикул 124779, по выгодной цене 9.61 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Похожие товары

BSP149H6327XTSA1 транзистор

На складе 1340 шт. Infineon Technologies

Цена
92,89 ₽
IRFP4568PBF транзистор

На складе 193 шт. Infineon Technologies

Цена
557,07 ₽
IRF3415PBF транзистор

На складе 1000 шт. Infineon Technologies

Цена
117,01 ₽
2Т837Е (201*г) транзистор

На складе 32 шт.

Цена
213,84 ₽
КТ918А транзистор

На складе 4 шт.

Цена
203,15 ₽
IRFB3206 транзистор

На складе 1990 шт. JSMSEMI

Цена
71,32 ₽