IPB107N20N3GATMA1 транзистор
Артикул RLT-113112
Номер поставщика 113112
Производитель (Импорт) Infineon Technologies
Гарантия 1 год
Характеристики
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 200
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,6
Заряд затвора, нКл 65
Описание 200V, 88A N-Channel MOSFET
Максимальный ток коллектора (Iк max) - 88 А
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 300 Вт
Вес брутто 2.08
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-263 (D2PAK)
Упаковка REEL, 1000 шт.
На складе 800 шт.
В упаковке 2 шт.
Цена
368,06 ₽
Описание Infineon Technologies IPB107N20N3GATMA1 транзистор
Купить IPB107N20N3GATMA1 транзистор производства компании Infineon Technologies, артикул 113112, по выгодной цене 368.06 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.
