IPD122N10N3GATMA1 транзистор
Артикул RLT-121612
Номер поставщика 121612
Производитель (Импорт) Infineon Technologies
Гарантия 1 год
Характеристики
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2
Емкость, пФ 2500
Заряд затвора, нКл 26
Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Время задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт
Вес брутто 0.55
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.
На складе 2280 шт.
В упаковке 10 шт.
Цена
89,82 ₽
Описание Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 транзистор
Купить IPD122N10N3GATMA1 транзистор производства компании Infineon Technologies, артикул 121612, по выгодной цене 89.82 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.
