ПН-ПТ с 9:00 до 18:00
г. Воронеж, пр-т Революции, 39
Корзина пуста

IRF1018EPBF транзистор

Купить IRF1018EPBF транзистор Infineon Technologies фото
Артикул RLT-121627
Номер поставщика 121627
Производитель (Импорт) Infineon Technologies
Гарантия 1 год

Характеристики

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 79
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8,4
Емкость, пФ 2290
Заряд затвора, нКл 69
Описание MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 110 Вт
Вес брутто 3.04
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*41*31/1000
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Упаковка TUBE, 100 шт.
На складе 900 шт.
В упаковке 25 шт.
Цена
59,81 ₽
Выберите количество

Описание Infineon Technologies IRF1018EPBF транзистор

Купить IRF1018EPBF транзистор производства компании Infineon Technologies, артикул 121627, по выгодной цене 59.81 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Аналоги

IRF1010E транзистор

На складе 850 шт. JSMSEMI

Цена
42,57 ₽

Похожие товары

IRF640NSTRLPBF транзистор

На складе 1575 шт. Infineon Technologies

Цена
45,22 ₽
IRF9Z34N транзистор

На складе 1150 шт. JSMSEMI

Цена
27,69 ₽
44H11 биполярный транзистор

На складе 1000 шт. SLKOR

Цена
27,17 ₽
16N65F транзистор

На складе 1650 шт. HXY

Цена
64,35 ₽
2Т3135А-1 (200*г) транзистор

На складе 25 шт.

Цена
534,60 ₽
IRFR5305PBF транзистор

На складе 2575 шт. JSMSEMI

Цена
34,76 ₽