ПН-ПТ с 9:00 до 18:00
г. Воронеж, пр-т Революции, 39
Корзина пуста

IRFBG30PBF транзистор

Купить IRFBG30PBF транзистор VISHAY фото
Артикул RLT-121127
Номер поставщика 121127
Производитель (Импорт) VISHAY
Гарантия 1 год

Характеристики

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5
Емкость, пФ 980
Заряд затвора, нКл 80
Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
Вес брутто 2.82
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220AB
Упаковка TUBE, 1000 шт.
На складе 1975 шт.
В упаковке 1 шт.
Цена
90,22 ₽
Выберите количество

Описание VISHAY IRFBG30PBF транзистор

Купить IRFBG30PBF транзистор производства компании VISHAY, артикул 121127, по выгодной цене 90.22 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Похожие товары

AO3442 транзистор

На складе 9000 шт. HXY

Цена
5,45 ₽
IPW60R099C6FKSA1 транзистор

На складе 120 шт. Infineon Technologies

Цена
504,90 ₽
FDV301N (Elecsuper) транзистор

На складе 14500 шт. Elecsuper

Цена
2,26 ₽
2Т812А транзистор

На складе 10 шт.

Цена
320,76 ₽
IRLB8721PBF транзистор

На складе 1000 шт. Infineon Technologies

Цена
98,82 ₽
2Т828Б транзистор

На складе 82 шт.

Цена
128,30 ₽