ПН-ПТ с 9:00 до 18:00
г. Воронеж, пр-т Революции, 39
Электронные компоненты
Корзина пуста

IRFBG30PBF транзистор

Купить IRFBG30PBF транзистор VISHAY фото
Артикул RLT-121127
Номер поставщика 121127
Производитель (Импорт) VISHAY
Гарантия 1 год

Характеристики

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5
Емкость, пФ 980
Заряд затвора, нКл 80
Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Время задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
Вес брутто 2.82
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220AB
Упаковка TUBE, 1000 шт.
На складе 1975 шт.
В упаковке 5 шт.
Цена
80,20 ₽
Выберите количество

Описание VISHAY IRFBG30PBF транзистор

Купить IRFBG30PBF транзистор производства компании VISHAY, артикул 121127, по выгодной цене 80.2 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Похожие товары

STP12NM50FP транзистор

На складе 500 шт. ST Microelectronics

Цена
205,92 ₽
IKW50N65ES5XKSA1 транзистор

На складе 198 шт. Infineon Technologies

Цена
336,46 ₽
IRF7351TRPBF транзистор

Ожидает поступления Infineon Technologies

Цена
39,09 ₽
IRLML5203 транзистор

На складе 6799 шт. HXY

Цена
2,40 ₽
2N2222A биполярный транзистор

На складе 30450 шт. CTK

Цена
0,83 ₽
IRFP90N20D транзистор

На складе 255 шт. JSMSEMI

Цена
211,29 ₽
Электронные компоненты