ПН-ПТ с 9:00 до 18:00
г. Воронеж, пр-т Революции, 39
Электронные компоненты
Корзина пуста

MJD45H11T4G биполярный транзистор

Купить MJD45H11T4G биполярный транзистор JSMSEMI фото
Артикул RLT-127469
Номер поставщика 127469
Производитель (Импорт) JSMSEMI
Гарантия 1 год

Характеристики

Тип проводимости PNP
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1
Максимальный постоянный ток коллектора, А -8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 50
Коэффициент усиления hFE мин. 40
Граничная частота ft, МГц 40
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.

Ожидает поступления
21.02.2025 на склад поступит 2500 шт.

В упаковке 1 шт.
Цена
24,67 ₽
Выберите количество

Описание JSMSEMI MJD45H11T4G биполярный транзистор

MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.
Комплементарная пара: MJD44H11T4G

Купить MJD45H11T4G биполярный транзистор производства компании JSMSEMI, артикул 127469, по выгодной цене 24.67 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Похожие товары

MMBTA05 биполярный транзистор

На складе 21000 шт. YONGYUTAI

Цена
1,65 ₽
2Т933Б (НИКЕЛЬ) транзистор

На складе 5 шт.

Цена
64,15 ₽
2П312Б транзистор

На складе 9 шт.

Цена
256,61 ₽
ТК152-50-4-2 транзистор

На складе 2 шт.

Цена
641,52 ₽
2Т962Б (200*г) транзистор

На складе 9 шт.

Цена
598,75 ₽
IKW50N60H3FKSA1 транзистор

На складе 235 шт. Infineon Technologies

Цена
281,00 ₽
Электронные компоненты