MJD45H11T4G биполярный транзистор
Артикул RLT-127469
Номер поставщика 127469
Производитель (Импорт) JSMSEMI
Гарантия 1 год
Характеристики
Способ монтажа Поверхностный
Тип проводимости PNP
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -80
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -1
Максимальный постоянный ток коллектора, А -8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 50
Коэффициент усиления hFE мин. 40
Граничная частота ft, МГц 40
Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*39*39/2500
Вес брутто 0.47
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.
Описание Транзистор биполярный PNP; В; -8 А; hFE 40…; TO-252 (DPAK)
Скачать техническую документацию даташит
На складе 1850 шт.
В упаковке 50 шт.
Цена
20,98 ₽
Описание JSMSEMI MJD45H11T4G биполярный транзистор
MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40.Комплементарная пара: MJD44H11T4G
Купить MJD45H11T4G биполярный транзистор производства компании JSMSEMI, артикул 127469, по выгодной цене 20.98 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.
