MJD122T4 биполярный транзистор
Артикул RLT-119801
Номер поставщика 119801
Производитель (Импорт) ST Microelectronics
Гарантия 1 год
Характеристики
Способ монтажа Поверхностный
Тип Составной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимости NPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 100
Максимальный постоянный ток коллектора, А 8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20
Коэффициент усиления hFE мин. 1000
Вес брутто 0.54
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.
Описание Транзистор биполярный NPN; 100 В; 8 А; hFE 1000…; TO-252 (DPAK)
На складе 1785 шт.
В упаковке 10 шт.
Цена
42,77 ₽
Описание ST Microelectronics MJD122T4 биполярный транзистор
MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.Купить MJD122T4 биполярный транзистор производства компании ST Microelectronics, артикул 119801, по выгодной цене 42.77 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.
