MJD127T4G биполярный транзистор
Артикул RLT-125412
Номер поставщика 125412
Производитель (Импорт) JSMSEMI
Гарантия 1 год
Характеристики
Тип Составной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимости PNP
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4
Максимальный постоянный ток коллектора, А -8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20
Коэффициент усиления hFE мин. 1000
Коэффициент усиления hFE макс. 20000
Граничная частота ft, МГц 4
Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/10000
Вес брутто 0.53
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка 2500
Скачать техническую документацию даташит
Ожидает поступления
В упаковке 1 шт.
Переоценка
Описание JSMSEMI MJD127T4G биполярный транзистор
MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.Купить MJD127T4G биполярный транзистор производства компании JSMSEMI, артикул 125412, по выгодной цене вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.
