IPD122N10N3GATMA1 транзисторы полевые

Артикул RLT-121612

Номер поставщика 121612

Производитель (Импорт) Infineon Technologies

Гарантия 1 год

Характеристики

Тип MOSFET

Тип проводимости N

Максимальное напряжение сток-исток, В 100

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2

Емкость, пФ 2500

Заряд затвора, нКл 26

Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Напряжение пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В

Диапазон рабочих температур -55…+175 °С

Время задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс

Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В

Мощность рассеиваемая (Pd) - 94 Вт

Вес брутто 0.55

Способ монтажа поверхностный (SMT)

Корпус TO-252-3 (DPAK)

Упаковка REEL, 2500 шт.

MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1

На складе 1250 шт.

В упаковке 10 шт.

Цена

72,97 ₽

Задать вопрос

Описание Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 транзисторы полевые

Купить IPD122N10N3GATMA1 транзисторы полевые производства компании Infineon Technologies, артикул 121612, по выгодной цене 72.97 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Условия доставки и оплаты

Оплата. Безналичный расчет для физических и юридических лиц. Для получения от нас счета на оплату, вам необходимо составить заявку на сайте или на почту info@ruelt.ru. Минимальная сумма счета 1000 ₽. Срок оплаты счета 5 дней. В течение этого срока мы гарантируем резерв товара на складе и неизменные цены.

Срок комплектации, с момента зачисления денежных средств до 5 рабочих дней.

Доставка. По желанию покупателя доставка осуществляется: транспортными компаниями, курьерскими-службами и Почтой России. Отгрузка бесплатная, доставку оплачиваете напрямую транспортной.

С подробными условиями можно ознакомится здесь или по телефону +7 473 292-31-26.