ПН-ПТ с 8:00 до 17:00
г. Воронеж, пр-т Революции, 39
Электронные компоненты
Корзина пуста

IKA10N60TXKSA1 igbt транзисторы

Купить IKA10N60TXKSA1 igbt транзисторы Infineon Technologies фото
Артикул RLT-113161
Номер поставщика 113161
Производитель (Импорт) Infineon Technologies
Гарантия 1 год

Характеристики

Тип IGBT
Мощность рассеиваемая (Pd) - 30 Вт
Максимальный ток коллектора (Iк max) - 11,7 А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V
Диапазон рабочих температур -40…+175 °С
Описание 600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Время задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс
Ток утечки затвор-эмиттер - 100 nA
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V
Вес брутто 2.16
Корпус TO-220F
Способ монтажа Through Hole
Упаковка TUBE, 50 шт.

Скачать техническую документацию даташит

На складе 1282 шт.
В упаковке 6 шт.
Цена
99,08 ₽
Выберите количество

Описание Infineon Technologies IKA10N60TXKSA1 igbt транзисторы

Купить IKA10N60TXKSA1 igbt транзисторы производства компании Infineon Technologies, артикул 113161, по выгодной цене 99.08 ₽ вы можете в магазине электронных компонентов RUELT.RU. Уточнить технические характеристики или спецификацию компонентов, подобрать аналог, узнать наличие и оформить заказ можно на сайте или позвонив по телефону +7 (473) 292-31-26.

Похожие товары

FGH40N60SFDTU igbt транзисторы

На складе 425 шт. ON Semiconductor

Цена
258,68 ₽
2N2222A (CTK) биполярный транзистор

На складе 29000 шт. CTK

Цена
1,10 ₽
КТ938Б-2 транзистор

На складе 1 шт.

Цена
260,88 ₽
IRLML2402 транзисторы полевые

На складе 300 шт. HOTTECH

Цена
2,15 ₽
КТ921Б транзистор

На складе 3 шт.

Цена
1043,54 ₽
IPB107N20N3G TO263-3 (RP) транзисторы полевые

На складе 452 шт. Infineon Technologies

Цена
197,48 ₽
Электронные компоненты